삼성전자가 평택 반도체공장에 D램 생산라인도 건설하겠다고 밝혔다. 평택공장은 현재 3D(3차원) V(수직)낸드플래시만 생산하고 있다.
 
삼성전자는 31일 실적발표 콘퍼런스콜에서 "평택공장의 상층(2층) 일부 공간을 D램 증설에 활용할 계획"이라고 말했다.
 
삼성전자는 올해 초 화성공장 11라인 D램 생산라인 일부를 이미지센서 라인으로 전환하겠다고 밝히면서 이로 인해 줄어드는 D램 생산설비를 보완하겠다고 밝힌 바 있다.
 
이에 따라 화성공장의 낸드 캐퍼 일부를 D램으로 전환해 왔는데 여기에 더해 평택공장에도 D램 생산라인을 일부 들이겠다고 한 것이다.
 
삼성전자는 이를 위해 평택공장 2층에 클린룸을 짓겠다는 계획을 세운 것으로 알려졌다. 
 
다만 구체적 가동 시기나 설비용량에 대해 삼성전자는 "시장 상황이나 10나노급 공정으로의 전환 상황 등을 고려해 탄력적으로 대응할 계획"이라고 밝혔다.
  

▲ 지난 7월 가동을 시작한 삼성전자 평택 반도체 공장

 
삼성전자는 또 내년에 D램 반도체가 공급 과잉이 될 수 있다는 일각의 우려에 대해 공급 과잉 가능성은 작다고 진단했다.
 
삼성전자는 "수요 측면에서 D램의 경우 클라우드 서비스 확대, 신규 CPU 플랫폼 출시로 수요가 강세를 보이고 머신 러닝, AI(인공지능) 도입 등으로 고용량화가 확대될 것"이라고 밝혔다.
 
또 낸드플래시의 경우에도 고해상도, 온디바이스 AI 도입 등으로 모바일 시장에서도 이런 경향이 지속되고 4K 콘텐츠 확대로 2018년 수요는 견조할 것으로 예상했다.
 
반면 공급 측면에서는 반도체 업계의 '1x 나노' 공정 전환(D램), 3D 낸드플래시로의 전환이 원활하게 이뤄질지 불확실해 수급이 전반적으로 빡빡할 것으로 전망했다.
 
삼성전자는 "(업계의) 선단공정 전환 정도, 고객사 수요 등에 따라 응용처별로 (수급이) 상이한 모습을 보일 것"이라고 말했다.
 

▲ 삼성전자가 지난 11일 출시한 1200만 화소 듀얼픽셀 이미지센서 'ISOCELL Fast 2L9'

 
삼성전자는 또 신규 이미지센서 제품으로 3스택 이미지센서를 준비 중이라고 밝혔다.
 
3스택 이미지센서는 이미지센서와 빛을 전기신호로 변환하는 로직칩, 메모리 장치인 D램 등 3가지를 한데 붙인 이미지센서다.
 
특히 저장 속도가 낸드플래시보다 빠른 D램에 일시적으로 촬영한 이미지를 저장해 초당 수백장의 사진을 찍을 수 있다.
 
삼성전자는 "슈퍼 슬로모션 같은 독특한 사용자 경험을 제공하는 새로운 제품이 될 것"이라며 "프리미엄과 하이엔드 시장 중심으로 내년부터 채용이 본격화되고 빠르게 확대될 것으로 예상한다"고 밝혔다.
 
삼성전자는 내년 중 이 제품을 상용화한다는 계획이다.
 
또 FDSY(완전공칩형 실리콘) 제품을 미주와 유럽에 있는 자동차, IoT(사물인터넷), 소비자제품 고객 중심으로 성공적으로 양산하고 있다고 밝혔다.
 
FDSY는 웨이퍼 막질 안에 실리콘 산화막이 하나 더 있어서 전하들이 다른 곳으로 이탈하지 않게 막는 것으로, 저전력 솔루션에 적합하다.